消息称三星积极推动 NAND 工艺向 V9 转换, 但 V10 量产节奏放缓

IT之家6月20日消息，韩媒sisajournal-e当地时间昨日报道称，三星电子正积极推进现有较旧NAND闪存生产设施向目前最先进的第九代V-NAND（IT之家注：286层）转换。

报道指出，三星目前正为其韩国平泽P1晶圆厂的NAND产能从V6更新至V9进行设备投资，并考虑将中国西安X2晶圆厂从目前的V7/V8升级至V9，旨在应对AI服务器对高容量QLC企业级SSD需求短暂低潮后的复苏。

不过，三星电子放缓了下一代400+层NAND闪存工艺V10的量产进度，这与超低温蚀刻技术导入遇阻有关，可能导致V10NAND量产线的投资建设计划延至2026年上半年。